詳細(xì)資料：
英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3
銷售國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要經(jīng)銷德國infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國IR，瑞士ABB，英國西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭
英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3
IGBT
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT的典型應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機(jī)
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐
| 德國英飛凌（EUPEC）2單元IGBT 系列： | |||
| FF200R06KE3 | FF200R06ME3 | FF300R06KE3 | FF300R06ME3 |
| FF400R06KE3 | FF400R06ME3 | FF75R10KN | FF100R12YT3 |
| FF100R12KS4 | FF150R12KE3G | FF150R12KE3 | FF150R12KT3 |
| FF150R12KS4 | FF200R12KS4 | FF200R12KE3 | FF200R12KT3 |
| FF200R33KF2C | FF200R17KE3 | FF300R12ME3 | FF300R12ME3EN |
| FF300R12MS4 | FF300R12KS4 | FF300R12KE3 | FF300R12KT3 |
| FF300R17KE3 | FF400R12KE3 | FF450R12KF4 | FF400R12KF4 |
| FF400R12KL4C | FF400R16KF4 | FF450R12ME3ENG | FF400R33KF2-B3 |
| FF400R33KF1 | FF450R12KE4 | FF450R12KT4 | FF600R12KF4 |
| FF600R12IE4 | FF600R12KE3 | FF600R12KL4C | FF600R16KF4 |
| FF600R17KF6 | FF600R17KF6B2 | FF600R17KF4 | FF800R12KE3 |
| FF800R12KL4C | FF800R12KF4 | FF800R16KF6 | FF800R17KF6-B2 |
| FF800R17KE3（EQ53AJ） | FF800R17KF6（EQ53AJ） | FF400R33KF2 | FF150R12MT4 |
| FF1200R17KE3 | FF1400R12IP4 | FF150R12KT3G | |
